npn导通条件（npn导通条件 ib）

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1npn三极管的导通,饱和,截止条件??

1、截止状态 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

2、三极管的线性放大区工作条件是：发射结正偏，集电极反偏（有适合的静态工作点Ib、Ic、Vce），三极管在线性放大区可以不失真地对交流小信号进行放大。

3、NPN型三极管的导通条件是C点电位B点电位E点电位，三极管饱和导通的条件是UbUe，UbUc。PNP型三极管的导通条件是E点电位B点电位C点电位，三极管饱和导通的条件是UeUb，UcUb。

4、NPN和PNP三极管的放大截止饱和条件分别是：截止状态：三极管基极不加偏置电压或是加反向偏置电压，使BE极截止，基极电流IB=0，因为IC=β IB，所以IC=IE=0，此时CE极之间相当于断路，负载无电流。

2pnp型3极管导通条件

具体条件如下：在基极与发射极之间加正向电压。这可以通过将基极与发射极分别连接到一个低电阻的电路中，并且使基极电压大于或等于发射极电压来实现。

NPN 型三极管的导通条件是 b 极比 e 极电压高 0.7V。

pnp三极管导通条件，是发射极与基极正向偏置，也就是发射极的电位大于基极的电位（0.7V以上），集电极的电位小于发射极的电位（也有最小值要求），这两个条件要同时满足。假如e为5v b为0.7v c为0v这样的条件能导通。

3三极管导通条件

1、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。

2、npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。

3、因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC＝0。饱和区：Ib足够大；C极不能开路，并有负载（电阻）；在电路中测ce两端电压接近零伏小于eb电压是饱和状态；ce电压高于eb电压，一般在二分之一左右的电源电压是放大状态。

4、具体条件如下：在基极与发射极之间加正向电压。这可以通过将基极与发射极分别连接到一个低电阻的电路中，并且使基极电压大于或等于发射极电压来实现。

4NPN型和PNP型三级管的导通条件是什么???

导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。

对于锗管，NPN要求基极比发射极高0.3V左右，并且集电极的电位高于发射极才会导通。PNP则是发射极电位最高，基极要比发射极低0.3V才会导通。硅管则为0.5V以上。

PNP型三极管的导通条件是E点电位、B点电位、C点电位，三极管饱和导通的条件是Ue、Ub、Uc、Ub。PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。

pnp导通条件是C点电位B点电位E点电位，三极管饱和导通的条件是UbUe，UbUc。NPN型三极管由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。

npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。

NPN型晶体管导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。PNP管同理。

5NPN三极管电路求教

将输入信号连接到基极。输入信号可以是电压或电流，用于控制三极管的放大效果。 将集电极连接到输出负载。输出负载可以是电阻、电容或其他电路元件。 将发射极接地。这样可以确保三极管正常工作，并提供稳定的参考电平。

NPN型，集电极C接电源正极，发射极E接电源负极，基极B通过偏值电阻接正极。PNP型，集电极C接电源负极，发射极E接电源正极，基极B通过偏值电阻接负极。

npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。

NPN三极管导通条件是 VbVe，Vin=0时Vb=0不满足导通条件，Q1截止。

三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。

由于是要用三极管驱动继电器，所以要让三级管工作在开关状态，即在饱和状态和截止状态之间转换，不工作在放大状态。

6NPN型和PNP型三级管的导通条件是什么?

1、导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。

2、对于锗管，NPN要求基极比发射极高0.3V左右，并且集电极的电位高于发射极才会导通。PNP则是发射极电位最高，基极要比发射极低0.3V才会导通。硅管则为0.5V以上。

3、PNP型三极管的导通条件是E点电位、B点电位、C点电位，三极管饱和导通的条件是Ue、Ub、Uc、Ub。PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。

4、pnp导通条件是C点电位B点电位E点电位，三极管饱和导通的条件是UbUe，UbUc。NPN型三极管由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。

5、npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。

6、NPN型晶体管导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。PNP管同理。

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